probenerИзвестия высших учебных заведений. ПРОБЛЕМЫ ЭНЕРГЕТИКИPower engineering: research, equipment, technology1998-99032658-5456Kazan State Power Engineering University10.30724/1998-9903-2017-19-7-8-126-132probener-421Research ArticleПРИБОРОСТРОЕНИЕ, МЕТРОЛОГИЯ И ИНФОРМАЦИОННО- ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫINSTRUMENT-MAKING, METROLOGY AND INFORMATION-MEASURING INSTRUMENTS AND SYSTEMSАвтоматизированный прибор контроля основных термоэлектрических характеристик халькогенидов свинцаAutomatic device for measuring of principal thermoelectric parameters of lead chalcogenidesСиницинА. М.SinicinA. M.

ассистент кафедры «Промышленная электроника и светотехника» (ПЭС)

assistant, Industrial electronics and light engineering department

sinicinalexey87@yandex.ruУлановВ. А.UlanovV. A.

докт. физ.-мат. наук, профессор кафедры «Промышленная электроника и светотехника» (ПЭС)

associate professor, doctor of physical-mathematical sciences, Industrial electronics and light engineering department

Казанский государственный энергетический университет, г. КазаньРоссияKazan State Power Engineering University, KazanRussian Federation201724022018197-8126132Copyright © Синицин А.М., Уланов В.А., 20182018Синицин А.М., Уланов В.А.Sinicin A.M., Ulanov V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.energyret.ru/jour/article/view/421

Создан автоматизированный прибор контроля основных термоэлектрических параметров узкозонных полупроводников группы халькогенидов свинца (термоЭДС, электропроводность и теплопроводность), управляемый программно с помощью персонального компьютера. В диапазоне температур [270К ÷ 500К] прибор обеспечивает точность определения: теплопроводности – ±5,7%, электропроводности – ±3,5%  и  термоЭДС – ±4%.

 

 

 

 

The device intended for measuring of principal thermoelectric parameters of the narrow-gap lead chalcogenide semiconductors (the Seebeck coefficient, electrical conductivity and thermal conductivity) have been created. The device created can be controlled by personal computer. In the temperature range from 270K to 500K the  correctness of values of the thermoelectric parameters measured by the device are following: thermal conductivity – ±5,7%; electrical conductivity – ±3,5%; the Seebeck coefficient – ±4%.

 

 

 

 

автоматизированный приборхалькогенид свинцатермоэлектрический параметркоэффициент ЗеебекаэлектропроводностьтеплопроводностьAutomatic devicelead chalcogenide semiconductorthermoelectric parameterSeebeck coefficientelectrical conductivitythermal conductivityReferencesШостаковский П. Термоэлектрические источники альтернативного электропитания // Компоненты и технологии. 2010 №12б. С.131–138.P. Shostakovskii. Thermoelectric sources of alternative power supply // Komponenty i tekhnologii, no.126, p.131-138 (2010).Dughaish Z. H. Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation //Physica B, v.322, p.205-223 (2002).Z. H. Dughaish. Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation //Physica B, v.322, p.205-223 (2002).Yan-Ling Pei, Yong Liu. Electrical and thermal transport properties of Pb-based chalcogenides: PbTe, PbSe, and PbS. // Journal of Alloys and Compounds, v.514, p.40-44 (2012).Yan-Ling Pei, Yong Liu. Electrical and thermal transport properties of Pb-based chalcogenides: PbTe, PbSe, and PbS. // Journal of Alloys and Compounds, v.514, p.40-44 (2012).Zhao L.-D., Lo Shin-Han, Zhang Y., Sun Hui, Tan G., Ctirad Uher, C. Wolverton, M.G. Kanatzidis. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in SnSe crystals. // Nature, v.508, p.373-377 (2014).L.-D. Zhao, Shin-Han Lo, Y. Zhang, Hui Sun, G. Tan, Ctirad Uher, C. Wolverton, M.G. Kanatzidis. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in SnSe crystals. // Nature, v.508, p.373-377 (2014).Martin J., Tritt T., Uher C. High temperature Seebeck coefficient metrology // J. Appl. Phys., v.108, p.121101 (2010).J.Martin, T.Tritt, C.Uher. High temperature Seebeck coefficient metrology // J. Appl. Phys., v.108, p.121101 (2010).J. de Boor, Muller E. Data analysis for Seebeck coefficient measurements // Review of scientific instruments, v.84, p.065102-1-9 (2013).J. de Boor, E. Muller. Data analysis for Seebeck coefficient measurements // Review of scientific instruments, v.84, p.065102-1-9 (2013)Iwanaga Sh., Snyder G. J. Scanning Seebeck coefficient measurement system for homogeneity characterization of bulk and thin-film thermoelectric materials // Journal of Electronic Materials, v.41, p.1667-1674 (2012).Sh. Iwanaga, G. J. Snyder. Scanning Seebeck coefficient measurement system for homogeneity characterization of bulk and thin-film thermoelectric materials // Journal of Electronic Materials, v.41, p.1667-1674 (2012)Осипова В.А. Экспериментальное исследование процессов теплообмена. М.: Энергия, 1973. 318 с.V.А. Osipova. Experimental investigation of processes of the thermal transport. М.: Energia, 1973. 318 p.Franco A. An apparatus for routine measurement of thermal conductivity of materials for building application based on a transient hot-wire method // Applied Thermal Engeneering, v.27, p.2495-2504 (2007).A.Franco. An apparatus for routine measurement of thermal conductivity of materials for building application based on a transient hot-wire method // Applied Thermal Engeneering, v.27, p.2495-2504 (2007).Gustavsson M., Karawacki E., Gustafsson S.E. Thermal conductivity, thermal diffusivity, and specific heat of thin samples from transient measurements with hot disk sensors // Rev. Sci. Instrum., v.65, p.3856-3859 (1994). 11. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для ВУЗов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.M. Gustavsson, E. Karawacki, S. E. Gustafsson. Thermal conductivity, thermal diffusivity, and specific heat of thin samples from transient measurements with hot disk sensors // Rev. Sci. Instrum., v.65, p.3856-3859 (1994).Синицин А.М., Уланов В.А. Измерительная камера прибора контроля основных характеристик материалов используемых в термоэлектрических генераторах // Известия вузов. Проблемы энергетики 2016. №5-6, С.110–115.L.P. Pavlov. Methods of measuring of parameters of semiconducting materials. Ucheb. dlja VUZov, 2-е izd., pererab. i dop. М.: Vyssh. shk, 1987. 239 p.А.М. Sinicin, V.А. Ulanov. The measuring chamber of the device controlling the basic characteristics of the materials used in thermoelectric generators // Problemy energetiki. 2016. №5-6, P.110–115.А.М. Sinicin, V.А. Ulanov. The measuring chamber of the device controlling the basic characteristics of the materials used in thermoelectric generators // Problemy energetiki. 2016. №5-6, P.110–115.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.